text: 自旋轉移矩是一種利用自旋極化電流來改變磁性隧道結或自旋閥中磁性層取向的效應。載流子，角動量就被轉移到這一層，改變了角動量的方向。這可以用來激發振盪和翻轉磁鐵的取向。這種效應通常僅發生在奈米尺度的器件中。自旋轉移矩儲存器.自旋轉移矩效應可用於翻轉磁阻式隨機存取記憶體中的有源元件。自旋轉移矩磁阻式隨機存取記憶體相比，STT-RAM還具有功耗低、可擴充套件性好等優點。自旋轉移矩效應有很大的潛力，使MRAM器件不僅能夠降低電流要求，還能夠降低成本。然而，對大多數產品來說，讓磁化重新取向所需的電流目前太高了，並且如何降低電流密度是目前自旋電子學研究的基礎。
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metadata: 自旋轉移矩
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