text: 光致遊離或光電離是光子與原子或分子的互動作用導致離子形成的物理過程。截面積.不是每個光子遇到原子或離子都能使它光致遊離。光致遊離的機率與光致遊離截面相關聯，這取決於光子的能量和所考慮的目標。對於能量在電離閾值以下的光子，光致電離截面接近於零。但隨著脈衝雷射器的發展，它變得可能創造非常高密度、相干多光子致遊離出現的可能。在均勻的更高強度，非微擾的現象，如"屏障抑制電離"和"再散射電離"都已經被觀測到。多光子致遊離.幾個能量低於電離閾值的光子實際上可能結合它們的能量電離原子。這個機率隨著所需光子的數量迅速降低，但非常高密度脈衝雷射的發展，使這種情況依然可能。在微擾的狀態，吸收"N"個光子的可能機率取決於雷射光的強度"I"，表示為"I""N" 。對更高的強度，這種鄉性會變得無效，然後出現AC斯塔克效應。共振增強多光子離子化是一種應用在原子和小分子光譜學的可調諧雷射，可以用在檢查激發中間態。超閾值遊離電離狀況下有更高的動能。從目標釋放出來的電子大約會有接近整體數量的光能高於動能的電子。隧道電離.當雷射的強度進一步增加，或更長的波長被應用來比較多光子電離的地方，可以採用準靜止的方法，並且結果是在束縛態和剩餘的連續態之間有相對較低和狹窄的障壁出現而導致失真。然後，電子可以從隧道透過或以更大的扭曲甚至克服這個障礙，這種現象分別被稱為穿隧電離和過障礙電離。進階讀物.
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metadata.title: 光致遊離
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