text: C-V特性曲線。當電壓改變時，耗盡層深淺也發生變化。應用.該測量方法可以得到關於半導體摻雜，晶體缺陷之類的特性。金屬-氧化物-半導體結構的C-V特性.金屬-氧化物-半導體結構是MOSFET的一部分，用來控制電晶體溝道中勢壘的高低。對於一個n通道MOSFET來說，該結構的工作特性可分為三個部分，分別與右圖對應：累積區 (Accumulation region).當施加 VGB  0 且夠強時，接近閘極端的電子濃度會超過電洞。這個在p-type半導體中，電子濃度，如C-V曲線右側所示。MOS電容的特性決定了金氧半場效電晶體的操作特性，但是一個完整的金氧半場效電晶體結構還需要一個提供多數載流子的源極以及接受這些多數載子的汲極。
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metadata.title: C-V特性曲線
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