text: Rowhammer是一種對動態隨機存取儲存器攻擊方法。這種攻擊利用了DRAM在執行過程中產生的意外電荷洩漏效應，攻擊會導致儲存器單元洩露電荷並可能造成位元翻轉，攻擊存在的一個原因是現在DRAM儲存單元的高密度排列造成的。一些高階晶片採用ECC(error-correcting code)技術來防止這個問題的發生，而一種稱為ECCploit的攻擊方法可以部分的繞過ECC保護機制。
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metadata: Rowhammer
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