text: 埃弗哈特-索恩利探測器和高探測效率的光電倍增管的E-T探測器已經成為了SEM中最常用的探測器。E-T探測器位於樣品腔中，主要部分是一個包含在法拉第籠之中的閃爍體探測器。對法拉第籠通入較低的正電壓可以將能量較低的電子吸引進入探測器，其中主要是二次電子；其他能量較高的電子則不會被這一電勢所吸引。而閃爍體探測器則被設定為極高的正電壓以加速這些被吸入的電子，並將其轉變為光子。光子進一步被閃爍體探測器中的金屬層構成的鏡面聚焦到光波導中。這些光子最後透過光管被傳輸出真空腔，然後進入光電倍增管進行放大。若去掉法拉第籠上的正電壓，或對法拉第籠施加一個負電壓，E-T二次電子探測器還可以用於探測背散射電子。但相比於運用E-T探測器獲得的背散射電子影象，更高質量的背散射電子影象需要使用專門的背散射電子探測器來進行成像。
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metadata: 埃弗哈特-索恩利探測器
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