text: 納電子學中應用。雖然“奈米技術”被普遍認為是使用低於100奈米的工藝水平，納電子學還是經常被用於指代特徵尺寸很小的電子器件，在這些器件中，原子間相互作用和粒子的量子力學效應不可忽略。其結果是，當前研究的一些電子器件並沒有完全滿足奈米技術的定義，不過仍然有許多尖端的器件技術能夠達到45奈米、32奈米甚至22奈米工藝水平。納電子學有時被視為破壞性創新，這是因為它研究的器件產品於傳統的電晶體差異很大。目前一些研究的物件有：混合分子半導體電子學、一維碳奈米管、奈米線以及高階的分子電子學、 單原子奈米電子學 。奈米器件中的電子輸運機制是相應電子器件研發和製造的關鍵。奈米尺度下，電子輸運可以是 擴散輸運、彈道輸運和 量子躍遷的複雜組合。根據達尼爾∙羅德于貝爾實驗室提出的羅德理論與唐爽和崔瑟豪斯夫人於麻省理工學院提出的唐-崔瑟豪斯理論 ，微電子器件尺度下的電子輸運機制依然能由單個電子攜帶的熵變最大值推知，而此最大值可以透過熱功率測得。
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