Заключение.
 В работе представлены и проанализированы изменения структуры валентной зоны, топологических состояний и остовных уровней для серии магнитных ТИ со стехиометрией Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении заложенной при росте концентрации атомов Sb в широком диапазоне х = 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5 и 1. На основе полученных данных в соответствии с целями и задачами данной работы, сделаны следующие выводы: Измеренные в точках образцов концентрации стабильно превышают заявленные при росте. Рост кристалла проводился не из расплава, а из растворителя на основе (Bi,Sb)2Te3. Таким образом, данные химического анализа свидетельствуют о преимущественном вхождении сурьмы в кристалл относительно растворителя. Показан постепенный энергетический сдвиг конуса Дирака при увеличении концентрации атомов Sb в образце. Данный сдвига характеризуется корневой зависимостью от концентрации атомов Sb, таким образом, физическая природа такого сдвига соответствует случаю линейного изменения плотности носителей заряда. Обнаружено, что точка компенсированного полупроводника наступает при концентрации атомов Sb x≈0.3. Пик Mn 3d, включённый в валентную зону, сдвигается на то же энергетическое состояние, что и точка Дирака, из чего можно сделать вывод, что валентная зона сдвигается целостно. Полученные результаты опубликованы в работе [60].
В работе представлены и проанализированы изменения структуры валентной зоны, топологических состояний и остовных уровней для серии магнитных ТИ со стехиометрией Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении заложенной при росте концентрации атомов Sb в широком диапазоне х = 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5 и 1.