1.8 Топологический изолятор дробной стехиометрии 
 Для магнитных ТИ дробной стехиометрии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при замещении атомов Bi атомами Sb концентрация носителей заряда изменяется по тем же причинам, что и в образце (Bi1-xSbx)2Te3 и схожим образом [22, 23, 24] (рис. 1.9). Однако, дробная стехиометрия вносит и другие изменения. Меняется магнитная структура [22] и транспортные свойства материала, понижается температура Нееля [23]. Была показана возможность изменения запрещенной зоны в топологических поверхностных состояниях [24].   Рис. 1.9 Измеренные методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением зонные структуры образцов Mn(Bi1-xSbx)2Te4 с различным значением x.  При этом в целом в литературе на данный момент нет общего согласия по значению концентрации Sb, при котором точка Дирака находится на уровне Ферми [22-27]. В работе [23] было выявлено, что на необходимый уровень концентрации атомов Sb могут влиять способ и детали синтеза исследуемых образцов: по этой причине величина концентрации атомов Sb, необходимая для локализации точки Дирака на уровне Ферми, будет существенно отличаться для объемных кристаллов и тонких пленок. Однако, при оценке концентрации атомов Sb в приведенных работах использовались заявленные при росте либо оценочные в среднем по образцу значения. В то время как известно, во-первых, что кристаллы Mn(Bi1-xSbx)2Te4 имеют свойство вырастать с большими x, чем заложено при росте [55], и во-вторых, что выращиваемые объемные кристаллы могут иметь области различной концентрации на поверхности. Детальный анализ зависимости положения точки Дирака от концентрации атомов Sb в данной точке до сих пор не проводился. 
В статье рассмотрены результаты исследований магнитных ТИ Mn(Bi1-xSbx)2Te4, полученные в результате дробной стехиометрии. Было показано, что при замещении атомов Bi атомами Sb концентрация носителей заряда изменяется по тем же причинам, что и в образце (Bi1-xSbx)2Te3, однако, вносятся и другие изменения. Была показана возможность изменения запрещенной зоны в топологических поверхностных состояниях.