Введение
 В последнее время активно исследуются материалы, принадлежащие к классу магнитных топологических изоляторов (ТИ), в которых успешно объединены топологические и магнитные свойства. Благодаря такой комбинации появляется возможность реализации многих теоретически предсказанных эффектов и состояний, таких как квантовый аномальный эффект Холла (КАЭХ), топологическое сверхпроводящее состояние, состояние аксионного изолятора, топологическое аксионное состояние и состояние полуметалла Вейля [1-8]. Однако, ТИ — материалы, изначально немагнитные, и для успешной реализации таких состояний необходимо наведение магнитного момента. Это позволяет открыть энергетическую запрещенную зону (ЭЗЗ) в точке Дирака в электронной структуре топологических поверхностных состояний, необходимую для реализации вышеуказанных явлений.  Активно изучаемые способы наведения магнитного момента в ТИ основаны на внедрении в вещество ТИ магнитных примесей или путем выращивания магнитных гетероструктур [9-15]. Повышенная концентрация магнитных примесей позволяет увеличить обменное взаимодействие и величину ЭЗЗ в точке Дирака. Однако, при этом увеличивается дефектность, снижается качество образца и уменьшается подвижность электронов [12]. По этой причине многие квантовые эффекты, включая КАЭХ, предсказанные в магнитно-легированных ТИ, наблюдаются только при чрезвычайно низких температурах (0.1-1K) [11]. Избежать такого увеличения дефектности удалось с открытием собственного стехиометрического магнитного ТИ MnBi2Te4, благодаря тому что в данном материале воспроизведен эффект близости в предельной форме: магнитные атомы включены в структуру непосредственно в качестве слоя [16]. Это позволило увеличить открываемую в точке Дирака ЭЗЗ, а также существенно поднять температуру КАЭХ [17], приблизив её к температуре магнитного перехода (температуре Нееля), в то время как для легированных ТИ температура КАЭХ существенно ниже температуры магнитного перехода.  Монокристаллы MnBi2Te4 в эксперименте характеризуются выраженным n-типом проводимости: точка Дирака имеет энергию связи 0.25-0.28 эВ, а уровень Ферми располагается в области зоны проводимости [16, 18-20], в то время как для реализации КАЭХ точка Дирака (и соответствующая запрещенная зона в точке Дирака) должны быть локализованы на уровне Ферми. Одним из широко применяемых способов энергетического сдвига конуса Дирака для ТИ на основе Bi2Te3 [21] является замещение части атомов Bi атомами Sb, которые, несмотря на то что обладают той же валентностью, что и атомы Bi, вносят дырочные носители заряда и сдвигают уровень Ферми благодаря возрастающему количеству дефектов. Соединение (Bi1−𝑥Sb𝑥)2Te3 успешно сохраняет свои топологические свойства во всем диапазоне x от 0 до 1. При некотором значении x происходит переход через точку компенсированного полупроводника от n-типа легирования к p-типу. Для магнитных ТИ дробной стехиометрии Mn(Bi1−𝑥Sb𝑥)2Te4 концентрация носителей заряда изменяется схожим образом [22-24].  В целом в литературе на данный момент нет общего согласия по уровню концентрации Sb, при котором точка Дирака находится на уровне Ферми [22-27]. В работе [23] было выявлено, что на необходимый уровень концентрации атомов Sb могут влиять способ и детали синтеза исследуемых образцов.  Данная работа посвящена детальному изучению изменений электронной структуры остовных уровней и валентной зоны объемных кристаллов дробной стехиометрии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 с вариацией концентраций атомов Sb во всем диапазоне x ∈ [0, 1]. Целью работы является выявление зависимости изменения валентной зоны и остовных уровней от концентрации атомов Sb в образце. Основными задачами является выявить точку смены проводимости с n-типа на p-тип, а также установить аналитическую форму и физическую природу данной зависимости. Для этого проведены измерения структуры валентной зоны и остовных уровней методами фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ФЭСУР) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) с использованием синхротронного излучения, излучения гелиевой лампы и рентгеновской трубки. Измерения проводились в одной и той же точке и одних и тех же условиях. Тем самым было получено однозначное соответствие между стехиометрией образца и энергетическим сдвигом точки Дирака при вариации концентрации атомов Sb.
В статье рассматривается зависимость изменения электронной структуры остовных уровней и валентной зоны объемных кристаллов Mn(Bi1-xSbx)2Te4 от концентрации атомов Sb во всем диапазоне x ∈. В работе установлено однозначное соответствие между стехиометрией образца и энергетическим сдвигом точки Дирака при вариации концентрации атомов Sb.